会议经表决，免去蒋成华的全国人大外事委员会委员职务；任命杨合庆为全国人大常委会法制工作委员会副主任。
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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
在处理对应垂直领域的任务上，和非专家的单纯对话形式相比，专家能交付更专业、质量更高的结果。为了验证这一点，我们直接从它目前已经 1.6w+公开的 Expert 库（大部分是用户创作）里，挑了几个热门的场景进行实测。